Dal punto di vista fisico i moduli Ddr4 mantengono una lunghezza di circa 133,35 mm, mentre cambia l’altezza e lo spessore del Pcb, che passa dai 30,35 mm e 1 mm della Ddr3 ai 31,25 mm e 1,2 mm della Ddr4. Tali variazioni consentono un miglior routing dei segnali ad alta frequenza. Ancora, a differenza rispetto del passato cambia il numero di pin utilizzati per la connessione alla scheda madre (da 240 delle Ddr2 e Ddr3 agli attuali 288) e il posizionamento del divisore di innesto nello zoccolo così da impedire l’installazione su piattaforme non compatibili.
Dal punto di vista elettrico la novità , dovuta al progresso tecnologico e alla miniaturizzazione dei processi produttivi, riguarda la tensione di alimentazione. Le celle utilizzate per queste memorie, costruite con processi al di sotto dei 20 nm, possono infatti essere alimentate a tensioni di 1,2 volt o inferiori; si parla del 20% in meno rispetto alla generazione di memoria precedente.
Le Ddr3 in configurazioni Ulv (Ultra Low Voltage) sono state commercializzate anche con tensioni pari a 1,05 volt, caratteristica che lascia intravedere come in un futuro abbastanza vicino anche la tensione per le Ddr4 potrebbe scendere al di sotto della soglia di 1 volt.
Le celle di memoria appena accennate avranno una densità molto maggiore rispetto al passato, così da permettere la produzione di banchi di memoria con capienza molto superiore a quella attuale. La possibilità di incrementare le frequenze operative, associata all’utilizzo di controller multicanale come quello di Haswell-E permetterà di aumentare la banda di trasferimento dati massima teorica rispetto a quanto oggi disponibile con la tecnologia Ddr3.
Michele Braga