Dopo qualche mese di assoluta calma, durante i quali AMD ha saputo sfruttare al meglio il vantaggio tecnologico/prestazionale a scapito di Nvidia nel settore grafico, iniziano a emergere i primi dettagli di quello che ci potrebbe rivelare il futuro prossimo.
Molti gli avvenimenti che nell’ultimo periodo condizioneranno le scelte progettuali delle due case per quanto riguarda le Gpu discrete, tralasciando l’incognita Larrabee di Intel, le più importanti sono di certo l’annuncio di Microsoft riguardante la prossima adozione delle DirectX 11 (fine 2009 – inizio 2010) e i problemi nel passaggio al processo produttivo a 40 nm da parte della fonderia TSMC, produttrice fisica delle Gpu AMD e Nvidia.
I dati in nostro possesso riguardano il prossimo chip AMD RV870, successore dell’attuale RV770 che equipaggia le schede della famiglia HD4800. AMD dovrebbe dunque continuare a seguire l’approccio che si è rivelato vincente nell’ultima generazione di schede grafiche: produrre un chip di fascia medio/alta e derivare da esso soluzioni top di gamma dual Gpu e di fascia più bassa eliminando parti del progetto originale. Grazie a questo compromesso AMD è in grado di offrire chip con ottime prestazioni a costi molto contenuti, limitare i chip non funzionanti e ridurre i tempi di passaggio dalla produzione del chip “principale” a quelli delle altre fasce.
Il chip RV870 sarà prodotto a 40 nm e integrerà qualcosa come 1,3 miliardi di transistor (956 milioni per RV770) con una dimensione del die contenuta in soli 205 mm2, in calo rispetto ai 260 mm2 del chip precedente. Questo permetterebbe di ridurre i consumi complessivi e aumentare le frequenze di clock, che probabilmente raggiungeranno la soglia di 1 GHz.
I dati interni indicano come probabile un passaggio da 800 a 1.000 shader processor, con architettura aggiornata con il piano supporto alle DirectX 11. La potenza del chip sarebbe di conseguenza nettamente superiore a quella attuale, con un passaggio da 1 Tflop a un valore compreso (i dati come spesso accade sono contraddittori) tra 1,2 e 1,5 Tflop.
Il debutto è atteso in concomitanza con la messa in funzione della linea produttiva a 40 nm presso TSMC, probabilmente per la fine del mese di febbraio del prossimo anno.
Per approfondimenti:
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