TSMC, una delle maggiori fonderie di silicio presenti nel panorama hardware, annuncia la propria intenzione di rendere disponibile agli sviluppatori un nuovo processo produttivo a 22 nm entro il 2011.
A seguire i piani dell’azienda taiwanese indicano un progressivo passaggio a 15 nm entro due anni, sul finire del 2013, contestualmente a un cambiamento dei wafer di silicio grezzo utilizzati che cresceranno di diametro passando dagli attuali 300 mm a 450 mm.
Ad oggi la roadmap di TSMC prevedeva solo il prossimo passaggio ai 40 nm, tuttora in fase di collaudo e che entrerà a pieno regime entro l’inizio dell’anno. Il passo intermedio tra il presente e quanto appena annunciato sarebbe rappresentato dai 32 nm, posizionabile temporalmente all’inizio del 2010.