Dalla Newsroom di Samsung arriva l’annuncio dell’arrivo prossimo venturo dei chip V-NAND di quinta generazione, una tecnologia di memoria caratterizzata dall’adozione di nuovi standard, prestazioni migliorate e consumi ridotti. I chip NAND tridimensionali di Samsung crescono ancora, arrivando a includere 90 strati contro i 64 della generazione precedente.
Attesi inizialmente al debutto in un package con capacità da 256 gigabit (32GB), i chip V-NAND di quinta generazione rappresentano secondo Samsung le prime memorie ad adottare la nuova interfaccia “Toggle DDR 4.0”, standard caratterizzato da una velocità di trasferimento per chip pari a 1,4 Gbps – un incremento del 40% rispetto alle prestazioni dei chip a 64 strati.
Le prestazioni aumentano ma l’efficienza energetica resta “comparabile” ai V-NAND di quarta generazione, sostiene Samsung, poiché il voltaggio operativo è stato ridotto da 1,8 volt a 1,2 volt. Non solo: la corporation asiatica è riuscita ad assottigliare ulteriormente gli strati di memoria (-20%), quindi una maggiore densità non equivale a uno spessore dei chip eccessivamente maggiorato.
Migliorata risulta poi la velocità di scrittura (+30%), con la registrazione dei valori dei singoli bit che raggiunge picchi di 500 microsecondi; ogni nuovi chip V-NAND include 85 miliardi di celle di memoria in grado di “intrappolare” la carica elettrica corrispondente ai suddetti bit, e ogni cella è in grado di ritenere tre bit di dati per volta.
Samung ha già avviato la produzione di massa delle memorie V-NAND di quinta generazione, una produzione che ora risulta più efficiente del 30%. I futuri SSD ultra-veloci non dovrebbero insomma costare molto di più di quelli attuali, anche se al momento non è dato sapere il periodo di arrivo della nuova tecnologia di storage sul mercato.