Micron e Intel annunciano il raggiungimento finale del processo produttivo a 20 nanometri, utilizzato per il momento per la produzione delle memoria Nand Flash destinate agli Ssd delle due case.
Cella di memoria da 8 Gbyte prodotta a 20 nm
E’ la prim a volta in assoluto che si raggiunge un tale livello di miniaturizzazione per la produzione in larga scala di componenti elettronici. Le celle flash a 20 nm costituiscono un importantissimo traguardo verso le prossime evoluzioni tecnologiche. Due i campi maggiormente colpiti: Ssd e processori. I primi beneficeranno da subito della nuove celle, che verranno studiate per un inserimento nei dischi allo stato solido che vedremo in commercio nella seconda metà dell’anno. Il processo produttivo permetterà inoltre a Intel di fare esperienza per quanto riguarda i prossimi step evolutivi del processori. Gli attuali 32 nm diverranno infatti 22 nm con l’arrivo di Ivy Bridge alla fine dell’anno.
I primi chip a 20 nm hanno dalla loro parte numeri impressionanti: i moduli da 8 Gbyte prodotti con questa tecnologia avranno una superficie di soli 118 mm², con una riduzione dello spazio tra il 30 e il 40% rispetto ai moduli diffusissimi oggi prodotti a 35 nm.
Un confronto in scala delle dimensioni di una cella di memoria da 8 Gbyte prodotta a 34, 25 e 20 nm.
Secondo le dichiarazioni congiunte Micron e Intel i nuovi moduli permetteranno una nuova era nel settore degli Ssd, contribuendo a ridurre il prezzo d’acquisto dei prodotti raddoppiandone al contempo la capacità disponibile.