Proprio ieri Qualcomm, durante l’evento Tech Forum tenutosi a New York, ha annunciato lo Snapdragon 835 e ha illustrato il funzionamento della tecnologia Quick Charge 4.
Il nuovo SoC (System on a Chip) 835 è un processore di fascia alta che soppianterà gli attuali Snapdragon 820/821. Non sono state fornite specifiche dettagliate, ma è stato confermato che il SoC è realizzato con il processo produttivo FinFET a 10 nanometri sviluppato da Samsung. Ciò permetterà di aumentare le sue prestazioni quasi del 30% e una riduzione dei consumi del 40%. Ma il suo il punto di forza sarà nella grandezza poiché l’ingombro dello stesso processore sarà ridotto al minimo e potrà essere utilizzato all’interno dei nuovi smartphone, tra i quali dovrebbe esserci il Samsung Galaxy S8.
Altra novità introdotta con questi processori è il Quick Charge 4, che rappresenta un notevole passo avanti rispetto ai precedenti: riguarda un incremento della velocità di ricarica, è pienamente compatibile con le specifiche USB Type-C e USB Power Delivery e sarà in grado di assicurare ai dispositivi 5 ore di vita per la batteria in appena 5 minuti di ricarica.
Qualcomm dovrebbe iniziare la distribuzione del nuovo Snapdragon 835 a partire dalla metà del 2017, e magari proprio in occasione del prossimo CES 2017 di Las Vegas avremo modo di saperne di più su questi ultimi SoC.