I ricercatori del Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) ha comunicato la scoperta di un nuovo materiale, in collaborazione con Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST) e Università di Cambridge. Il nitruro di boro amorfo (a-BN) potrebbe consentire lo sviluppo di una nuova generazione di semiconduttori, in particolare DRAM e NAND.
Da qualche anno, il SAIT è impegnato nella ricerca e sviluppo di materiali bidimensionali, ovvero materiali cristallini con un singolo strato di atomi. In particolare i ricercatori di Samsung hanno realizzato un transistor di grafene, denominato barristore, e sviluppato un metodo per produrre grafene su larga scala con wafer a singolo cristallo. Per utilizzare gli stessi processi impiegati per i semiconduttori di silicio è tuttavia necessario che la crescita del grafene su substrati semiconduttori avvenga ad una temperatura inferiore a 400° C.
Il nuovo materiale permetterebbe di raggiungere questo obiettivo. Il nitruro di boro scoperto da Samsung, formato da atomi di boro e azoto disposti in una struttura esagonale, deriva dal grafene bianco, ma a differenza di quest’ultimo è amorfo, non cristallino. Ciò consente di ottenere wafer con temperature di soli 400° C. Grazie alla sua costante dielettrica di 1,78 e alle notevole proprietà elettriche e meccaniche, il nuovo materiale può essere usato come isolante per le interconnessioni con minime interferenze elettriche.
Una possibile applicazione del nitruro di boro amorfo è nella realizzazione di semiconduttori come DRAM e NAND. Un vero cambio di paradigma si avrà solo quando i nuovi materiali potranno essere realizzati con gli attuali processi produttivi usati per i semiconduttori di silicio.