Le due aziende hanno annunciato un accordo strategico che porterà alla produzione in volumi di celle di memoria flash con processo a 20 nm entro il prossimo anno.
Chip di questo tipo permetteranno di avere memorie allo stato solido estremamente veloci, capienti ed economiche, in grado di mandare definitivamente in pensione gran parte degli hard disk ad alte prestazioni.
Il settore mostra dunque tre grandi gruppi pronti a una concorrenza molto favorevole per il consumatore: Toshiba-Sandisk con le prossime delle a 20 nm e le attuali a 32nm con 3 bit per cella; Intel-Micron con i 20 nm programmati per la prima metà 2010 e le attuali 34 nm 3bpc e Samsung, leggermente più indietro dopo essere stata il punto di riferimento dell’attuale generazione a 40-45 nm.